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爆了！阿德巴约半场狂轰43分创历史半场第5高分上半场历史第二！

战略聚焦惠达卫浴强化全球化布局与智造升级

重点关注

　　党的二十大报告指出，要全面推进乡村振兴，坚持农业农村优先发展，巩固拓展脱贫攻坚成果，加快建设农业强国，扎实推动乡村产业、人才、文化、生态、组织振兴。在包河，以大圩镇磨滩村为样本，对照产业兴旺、生态宜居、生活富裕等要求，正在积极探索乡村振兴的崭新实践。
　　开车沿着花园大道一路向东，昔日主打葡萄产业的农业乡镇大圩镇正迎来另一幅发展光景。虽已是小雪时节，但这里还藏着最后一抹秋色，新河湖畔林水相见、色彩斑斓，俨然一幅江南水乡意蕴。
　　大圩镇磨滩村，距离主城区约16公里，三四年前还是合肥近郊的一个普通小村庄，村民们或务农或外出打工。如今，乡村、民宿、稻田、露营……众多“网红要素”齐聚，让这个默默无闻的小村庄成了一处“宝藏打卡地”。今年国庆长假期间，这里成为合肥市民近郊游的首选地，精品民宿几乎“一房难求”。
　　“圩美·磨滩”是合肥市首批乡村振兴重点项目。近年来，抢抓国家实施乡村振兴战略的重大机遇，我区成立区属国企——包河区乡村振兴有限公司，利用磨滩村原有的村庄肌理和自然资源，打造集文化体验、都市农业、乡村旅游、主题度假于一体的文化生态旅游目的地。
　　据悉，“圩美·磨滩”项目占地约4200余亩，总投资约15.3亿元，规划建设内容包括生态湿地、精品民宿、民俗街区、休闲农业和度假酒店。其中，精品民宿板块已基本完工，在设计理念上融入“渔、樵、耕、读、茶”等不同主题文化元素，留住乡愁文脉，让游客沉浸自然乡野。
　　搭上“文旅快车”，让磨滩这个籍籍无名的普通小村庄迎来了“高光时刻”，原本沉寂在岁月中的乡野村路、水塘沟渠、林木民舍，在匠心雕琢中重焕生机。除了肉眼可见的生态环境变化，启动“圩美·磨滩”乡村振兴项目，还解决了村民就近就业问题，实现了村集体经济的持续增收。
　　46岁的黄典飞是土生土长的磨滩人，在外做了二十多年的水电工，今年9月，黄典飞在家门口找到了新工作，成功入职“圩美·磨滩”，负责景区的水电维修工作。“以前在外打临工，总感觉不稳定，现在在家门口上班，公司还缴纳五险一金，收入也比以前高了，心里踏实多了。”
　　此外，黄典飞还多了一个身份——磨滩村股份经济合作社“村民股东”。2019年磨滩整村征迁后，村里成立了股份经济合作社，村民们以土地使用权流转入股参与“圩美·磨滩”乡村振兴项目，按照“保底分红+增益分红”原则，每年可获得2000元/亩分配收益。去年春节前，包括黄典飞在内的376户磨滩村民迎来了项目首次分红，黄典飞家的一亩来地收到了2400多元的分红款。
　　“下一步，我们将把集体土地使用权流转入股项目收益和集体经营性资产所获得收益用作可持续发展资金，继续壮大村集体经济，实现集体增收、群众分红的良性发展格局，让村民享受到越来越多的红利。”　磨滩村党总支书记、村股份经济合作社理事长刘钰表示。（杜静明薇王娟叶玉庭）
　　
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圩美·磨滩：小村庄里的大变化
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　　经过历时七天的精彩角逐，7月27日晚，2025年“天柱山杯”少儿京剧票友大赛在潜山市新时代文明实践中心圆满落幕。
　　颁奖晚会在《四郎探母・坐宫》中拉开序幕，从《闹龙宫》的灵动翻跃，到跨洋而来的《贵妃醉酒》，小选手们韵味悠长的曲调、生动细腻的表演，让观众大饱耳福眼福。
　　据了解，此次赛事共有全国17省市、港澳台地区，以及加拿大的132个节目同场角逐。最终评选出一等奖8名、二等奖12名、三等奖18名。
　　“程长庚是从潜山走出去的具有世界影响的伟大艺术家。今年也是徽班进京235周年，在先生的家乡举办少儿京剧票友大赛，不仅是对历史的深情回望，更是对“徽班精神”的当代表达。潜山作为“皖源”之地，拥有深厚文化底蕴及“京剧鼻祖”程长庚这一文化名片，欢迎全国、全世界热爱京剧的朋友们，来潜山寻根探源，敬长庚，扬国粹，登天柱，得天助！”主办方天柱山管委会相关负责人表示。（余雪峰）
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2025年“天柱山杯”少儿京剧票友大赛在潜山圆满落幕

内容简介:

最近关心

　　据悉，大野智决定将5月31日在东京巨蛋举行的岚最终公演作为隶属于事务所的最后一场舞台，之后正式离开公司。据相关人士透露，对于未来规划，大野智表示将“按照自己的节奏去思考和规划”。
　　作为岚的队长，大野智于2017年6月向其他四位成员坦言“想暂时摆脱一切束缚，过一段自由的生活”，这一坦诚成为组合决定休止活动的契机。五人全员一致决定于2020年末起无限期活动休止，大野智也随之暂停个人演艺活动。
　　2025年5月6日，岚五人一同出现在面向粉丝俱乐部的视频中；随后宣布于2026年3月13日起开启最终巡演，并将于5月末正式结束组合活动。大野智此次退所，标志着这位陪伴组合走过巅峰岁月的队长，将正式开启人生新篇章。
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岚成员大野智宣布5月底退出事务所结束31年半杰尼斯生涯
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随着半导体制程向先进节点演进，3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用，使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求，而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点，为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。

本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：
后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
" alt="DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用" style="width:120px;height:80px;">
DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用
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